资讯快车高通下代旗舰芯片骁龙835侧重降功耗-【新闻】
在安卓阵营处理器列强排行榜上,高通称第二,没人敢称第一,高通是当之无愧的移动芯片霸主,即使去年高通810的失误,让三星稍微有了点看头,今年迅速修正,取得了中高端的大胜利,外界开始关注高通下一代芯片的命名,之前就谣传会改名,没想到居然是真的。
昨日高通官网发文正式确认下一代旗舰级芯片命名为835,并进一步透露了高通835的信息:
此次的处理器是和三星联合开发的,用上了三星 10nm 的制程工艺,用上三星 10nm 制程工艺的骁龙 835 体积将会缩小 30% 以上,同时还能降低 40% 的功耗并提升 27% 的性能。
全新的 Quick Charge 4.0 快充技术可以让手机在 15 分钟内充电超过 50%,比 QC 3.0 充电速度快了 20%,效率提升 30%。同时,QC 4.0还加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。
至于高通835的ISP、GPU、主频等具体信息目前还是未知状态,我们还是需要等待。
root点评:从高通官网给出的数据看,835的性能提升不大,仅为27%,功耗则是降低了40%,这可以看出高通芯片的未来趋势,那就是着眼于降低功耗了,至于今年的高通82X,战个一两年是不成问题的。
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关于今年的高通旗舰芯片82X:Qualcomm骁龙820处理器专为提供创新用户体验的顶级移动终端而设计,Adreno 530 GPU 、Hexagon 680 DSP和Kryo CPU一起构筑了骁龙820之异构计算“铁三角”;基于骁龙 820 处理器的终端于2016 年上半年上市。
Quick Charge 3.0也将集成在骁龙820处理器之中,其充电速度是传统充电方式的四倍,是Quick Charge 1.0的两倍,比Quick Charge 2.0充电效率高38%
高通821则是在高通820的基础上提升了四个核心的主频率,骁龙821的CPU大核主频2.4GHz、小核主频2GHz,GPU主频650MHz。也就是说,骁龙821的CPU性能提升10%,而GPU的提升为5%。
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